База ответов ИНТУИТ

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

<<- Назад к вопросам

Рассчитайте массу (в мкг) галлия в пленке GaAs толщиной 100 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2.

(Ответ необходимо ввести в поле ввода.)

Варианты ответа
Похожие вопросы
Рассчитайте массу (в мкг) мышьяка в пленке GaAs толщиной 100 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2.
Рассчитайте массу алюминия в пленке GaAlAs толщиной 60 моноатомных слоев и площадью 25х25 мм2 при молярном соотношении галлия и алюминия 2:1.
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества гидрида мышьяка (AsH_3), требуемую для химического осаждения пленки GaAs толщиной 120 нм и площадью 4х6 см2 с использованием реакции
(CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилгаллия, требуемую для химического осаждения пленки GaAs толщиной 40 нм и площадью 4х6 см2 с использованием реакции
(CH_3)_3Ga+AsH_3\rightarrow GaAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
Рассчитайте массу (в мкг) хрома в пленке толщиной 5 нм и площадью 4х6 см2.
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества гидрида мышьяка (AsH_3), требуемую для химического осаждения пленки AlAs толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции
(CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилалюминия, требуемую для химического осаждения пленки AlAs толщиной 20 нм и площадью 4х5 см2 с использованием реакции
(CH_3)_3Al+AsH_3\rightarrow AlAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
Рассчитайте массу (в мкг) исходного вещества триметилиндия, требуемую для химического осаждения пленки InAs толщиной 50 нм и площадью 3х4 см2 с использованием реакции
(CH_3)_3In+AsH_3\rightarrow InAs\downarrow+3CH_4\uparrow.
Рассчитайте массу (в мг) золота в пленке толщиной 85 нм и площадью 4х6 см2. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы A_{\text{III}}B_{\text{V}} при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. GaAs