На рисунке показана оптимизированная структура ячейки магниторезистивного ОЗУ. 10-12, 14 и 15?
(Ответ считается верным, если отмечены все правильные варианты ответов.)
Варианты ответа
пленка изолятора, которая образует туннельный переход магниторезистивного элемента(Верный ответ)
запоминающий слой ферромагнетика(Верный ответ)
антиферромагнитные слои с постоянной намагниченностью и промежуточный слой между ними (Верный ответ)