Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм² в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 512 Мбит при = 4?

Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм² в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 256 Мбит при = 5?

Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм² в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 128 Мбит при = 6?

Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм² в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (тыс. кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 64 Мбита при = 7? (ответ укажите в тысячах).

Площадь кристалла наноэлектронной памяти на элементах с изменением фазового состояния 6х8 мм² в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какую площадь (тыс. кв. нм.) занимает одна ячейка такой памяти, если микросхема имеет объем памяти 32 Мбита при = 8? (ответ укажите в тысячах).

Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм². Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 128 Мбит при = 7? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм². Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 64 Мбит при = 8? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм². Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 512 Мбит при = 5? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм². Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 256 Мбит при = 6? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Одна ячейка наноэлектронной флеш-памяти с зарядовыми ловушками занимает площадь примерно 3200 нм². Площадь кристалла памяти в раз превышает площадь, занятую матрицами памяти. Какой площади (в кв. мм.) кристалл требуется для реализации микросхемы памяти на 1 Гбит при = 4? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Одна ячейка наноэлектронной NOR флеш-памяти занимает площадь приблизительно . Какую площадь (в кв. мм.) занимает при этом матрица NOR флеш-памяти на 128 Мбит? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.