База ответов ИНТУИТ

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

<<- Назад к вопросам

Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. C_{\textit{З}} = 6,2*10^{-19}\Phi; C_{\textit{ИО}} = 10{-18}\Phi; C_{\textit{ОС}} = 8*10^{-19}\Phi.

(Ответ необходимо ввести в поле ввода.)

Варианты ответа
Похожие вопросы
Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. C_{\textit{З}} = 2*10{-18}\Phi; C_{\textit{ИО}} = 10{-18}\Phi; C_{\textit{ОС}} = 1,2*10{-18}\Phi.
Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. C_{\textit{З}} = 1,2*10{-18}\Phi; C_{\textit{ИО}} = 8*10^{-19}\Phi; C_{\textit{ОС}} = 1,2*10{-18}\Phi.
Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. C_{\textit{З}} = 2*10{-18}\Phi; C_{\textit{ИО}} = C_{\textit{ОС}} = 10{-18}\Phi.
Рассчитайте кулоновский потенциал (в мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) при условии, что на наноостровке уже находится один избыточный электрон. C_{\textit{З}} = 5*10^{-19}\Phi; C_{\textit{ИО}} = C_{\textit{ОС}} = 10{-18}\Phi.
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. C_{\textit{З}} = 2*10^{-18}\Phi; C_{\textit{ИО}} = C_{\textit{ОС}} = 10^{-18}\Phi.
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. C_{\textit{З}} = 1,2*^{-18}\Phi; C_{\textit{ИО}} = 8*10^{-19}\Phi; C_{\textit{ОС}} = 1,2*10^{-18}\Phi.
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. C_{\textit{З}} = 2*10^{-18}\Phi; C_{\textit{ИО}} = 10^{-18}\Phi; C_{\textit{ОС}} = 1,2*10^{-18}\Phi
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. C_{\textit{З}} = 5*10^{-19}\Phi; C_{\textit{ИО}} = C_{\textit{ОС}} = 10^{-18}\Phi.
Рассчитайте кулоновский потенциал (мВ) для наноостровка одноэлектронного транзистора при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) при условии, что сам наноостровок является электрически нейтральным. C_{\textit{З}} = 6,2*10^{-19}\Phi; C_{\textit{ИО}} = 10^{-18}\Phi; C_{\textit{ОС}} = 8*10^{-19}\Phi.
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}1}, C_{\textit{З}2}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) и заданных напряжениях на затворах (U_{\textit{З}1},U_{\textit{З}2}) и между истоком и стоком (U). C_{\textit{З}1} = 4*10{-19}\Phi; C_{\textit{З}2} = 5*10{-19}\Phi; C_{\textit{ИО}} = 8*10{-19}\Phi; C_{\textit{ОС}} = 6*10{-19}\Phi; U = 40 \text{}; U_{\textit{З}1} = U_{\textit{З}2} = 50 \text{}.