При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*10⁴ МДП транзисторов/мм². Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 64 нм

При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*10⁴ МДП транзисторов/мм². Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 32 нм

При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*10⁴ МДП транзисторов/мм². Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 45 нм

При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*10⁴ МДП транзисторов/мм². Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 130 нм

При ПТН 200 нм на кристалле кремния размещали в среднем 2*10⁴ МДП транзисторов/мм². Рассчитайте возможную плотность транзисторов: при ПТН 90 нм

Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Периферийная электроника для обслуживания одного блока NAND флеш-памяти на 1024 бита состоит в среднем из 192 транзисторов. Оцените количество транзисторов на кристалле NAND флеш-памяти (ответ укажите в миллионах). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Считая, что все транзисторы КМДП логического элемента NOR или NAND вместе с межсоединениями можно разместить в пределах прямоугольника размером 25 х 40 проектно-технологических норм (ПТН), рассчитайте приблизительную плотность компоновки таких логических элементов на кристалле кремния: при ПТН 32 нм