Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения...

Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры $a\times b\times h$ (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент $2\mu_Б$ на каждый атом этого элемента ( $\mu_Б$ – магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 106 а.е.м. a= 220 нм, b= 250 нм, h=32 нм

.

Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры $a\times b\times h$ (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент $2\mu_Б$ на каждый атом этого элемента ( $\mu_Б$ – магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 106 а.е.м. a= 250 нм, b= 300 нм, h=36 нм

.

Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры $a\times b\times h$ (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент $2\mu_Б$ на каждый атом этого элемента ( $\mu_Б$ – магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 106 а.е.м. a= 120 нм, b= 100 нм, h=20 нм

.

Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры $a\times b\times h$ (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент $2\mu_Б$ на каждый атом этого элемента ( $\mu_Б$ – магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 106 а.е.м. a= 180 нм, b= 180 нм, h=28 нм

.

Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры $a\times b\times h$ (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент $2\mu_Б$ на каждый атом этого элемента ( $\mu_Б$ – магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 106 а.е.м. a= 150 нм, b= 140 нм, h=24 нм

,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время $\Delta t= 400 пс$ , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна $P= 50\%$ .

Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры $a\times b\times h$ (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент $2\mu_Б$ на каждый атом этого элемента ( $\mu_Б$ – магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 106 а.е.м. a= 250 нм, b= 300 нм, h=36 нм

,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время $\Delta t= 1,8 нс$ , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна $P= 40\%$ .

Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры $a\times b\times h$ (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент $2\mu_Б$ на каждый атом этого элемента ( $\mu_Б$ – магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 106 а.е.м. a= 180 нм, b= 180 нм, h=28 нм

,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время $\Delta t= 800 пс$ , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна $P= 50\%$ .

Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры $a\times b\times h$ (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент $2\mu_Б$ на каждый атом этого элемента ( $\mu_Б$ – магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 106 а.е.м. a= 220 нм, b= 250 нм, h=32 нм

,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время $\Delta t= 1,2 нс$ , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна $P= 40\%$ .

Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры $a\times b\times h$ (нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент $2\mu_Б$ на каждый атом этого элемента ( $\mu_Б$ – магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 106 а.е.м. a= 120 нм, b= 100 нм, h=20 нм

,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время $\Delta t= 200 пс$ , а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна $P= 60\%$ .

Ферромагнитный запоминающий элемент имеет форму цилиндра диаметром D= 20 нм

и высотой

. Оценочно принимаем, что для его перемагничивания из одного направления в другое надо перенести магнитный момент, равный $2\mu_Б$ ( $\mu_Б$ – магнетон Бора), на каждый из атомов этого элемента. Считая, что плотность материала, из которого сформирован запоминающий элемент, составляет 9800 кг/м³, а средняя масса атомов 102 а.е.м., оцените, какой величины магнитный момент должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи, рассчитайте величину спин-тока, необходимую для перемагничивания запоминающего элемента за время $\Delta t=200 пс$ .

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков