База ответов ИНТУИТ

Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления

<<- Назад к вопросам

Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: почему электроны с противоположно ориентированными спинами, находясь практически на одной и той же молекулярной орбитали, не мешают друг другу?

(Отметьте один правильный вариант ответа.)
Варианты ответа
они отличаются лишь по энергии и имеют разные волновые состояния. Но поскольку все электроны тождественны, то, если электроны поменять местами, от этого в свойствах молекулы ничего не изменится
нельзя, потому что эти величины являются неопределенными
потому что электроны в атоме с такими энергиями ведут себя как волны(Верный ответ)
можно, поскольку каждой молекулярной орбитали соответствует своя энергия электрона
Похожие вопросы
Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: можно ли говорить об энергии электрона на молекулярной орбитали? Почему?
Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: можно ли говорить о координате или импульсе электрона на молекулярной орбитали? Почему?
Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: почему молекулярные орбитали могут "спокойно" пересекаться, и это не приводит к "катастрофам"?
Попробуйте дать ответ на такой "интересный" вопрос: отличаются ли между собой электроны, находящиеся на разных молекулярных орбиталях? Изменится ли что-нибудь в свойствах молекулы, если эти электроны поменять местами?
Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 32 нм
Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 22 нм
Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 45 нм
Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 90 нм
Оцените возможную плотность хранения информации в матрице молекулярной памяти, например, на основе молекул [2]-ротаксана, если для ее изготовления используют технологию с проектно-технологической нормой: 14 нм
Какую приблизительно энергию должны иметь электроны на МО боковой группы атомов (например, NH_2 или NО_2), чтобы стать: акцепторами \pi-электронов при комнатных температурах?