Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления

<<- Назад к вопросам

При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 10¹⁰ В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 0,85 мм, а диаметр УНТ – 1,8 нм?

(Отметьте один правильный вариант ответа.)

Варианты ответа

свыше 8 В

свыше 18 В

свыше 13,5 В

свыше 9 В(Верный ответ)

свыше 6,8 В

Похожие вопросы

При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 10¹⁰ В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 2,1 мм, а диаметр УНТ – 1,6 нм?

При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 10¹⁰ В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 0,5 мм, а диаметр УНТ – 2,7 нм?

При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 10¹⁰ В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 1,5 мм, а диаметр УНТ – 3,6 нм?

При каком напряжении между УНТ и анодом напряженность электрического поля возле крышки УНТ превышает 10¹⁰ В/м, если: расстояние от крышки УНТ до анода составляет 2,5 мм, а диаметр УНТ – 1,36 нм?

Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой $i = 6,2*10^{-17}\left|\overrightarrow{E}\right|\exp\left(-\frac{3,2*10^8}{\left|\overrightarrow{E}\right|}\right)$ . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 20 В, а диаметр УНТ – 2,7 нм (ответ укажите в нА)

Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой $i = 6,2*10^{-17}\left|\overrightarrow{E}\right|\exp\left(-\frac{3,2*10^8}{\left|\overrightarrow{E}\right|}\right)$ . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 25 В, а диаметр УНТ – 3,6 нм (ответ укажите в нА)

Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой $i = 6,2*10^{-17}\left|\overrightarrow{E}\right|\exp\left(-\frac{3,2*10^8}{\left|\overrightarrow{E}\right|}\right)$ . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 10 В, а диаметр УНТ – 1,36 нм (ответ укажите в нА)

Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой $i = 6,2*10^{-17}\left|\overrightarrow{E}\right|\exp\left(-\frac{3,2*10^8}{\left|\overrightarrow{E}\right|}\right)$ . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 15 В, а диаметр УНТ – 1,8 нм (ответ укажите в мкА). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Пусть зависимость тока холодной эмиссии электронов из УНТ от напряженности внешнего электрического поля описывается формулой $i = 6,2*10^{-17}\left|\overrightarrow{E}\right|\exp\left(-\frac{3,2*10^8}{\left|\overrightarrow{E}\right|}\right)$ . Рассчитайте ток электронной эмиссии из крышки УНТ при условиях: напряжение на аноде составляет 15 В, а диаметр УНТ – 1,6 нм (ответ укажите в мкА). Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Чувствительность сверхпроводящего магнитометра на сквиде с двумя переходами Джозефсона составляет 10^-12 Тл. Какой минимальный градиент индукции магнитного поля можно зарегистрировать с помощью градиометра 1-го порядка, построенного на таком магнитометре, если расстояние $\Delta z$ между плоскостями его выносных рамок составляет 200 нм.