База ответов ИНТУИТ

Наноэлектронная элементная база информатики. Качественно новые направления

<<- Назад к вопросам

Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: меньше 0,3 эВ?

(Отметьте один правильный вариант ответа.)

Варианты ответа
от 1,77 нм до 1,94 нм
свыше 7,14 нм(Верный ответ)
от 1,50 нм до 1,62 нм
от 2,41 нм до 2,56 нм
от 1,40 нм до 1,45 нм
Похожие вопросы
Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 1,05 до 1,15 эВ?
Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 0,8 до 0,85 эВ?
Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 1,4 до 1,45 эВ?
Какого диаметра полупроводниковые УНТ надо отобрать, чтобы ширина запрещенной зоны в них находилась в диапазоне: от 1,25 до 1,35 эВ?
Во сколько раз диаметр 1-й электронной оболочки атома криптона меньше диаметра его внешней электронной оболочки?
Во сколько раз диаметр 1-й электронной оболочки атома аргона меньше диаметра его внешней электронной оболочки?
Во сколько раз диаметр 2-й электронной оболочки атома криптона меньше диаметра его внешней электронной оболочки?
Во сколько раз диаметр 3-й электронной оболочки атома ксенона меньше диаметра его внешней электронной оболочки? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Во сколько раз диаметр 2-й электронной оболочки атома ксенона меньше диаметра его внешней электронной оболочки? Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Во сколько раз диаметр 1-й электронной оболочки атома криптона меньше диаметра 1-й электронной оболочки атома неона? Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.