База ответов ИНТУИТ

Интеллектуальные сенсоры

<<- Назад к вопросам

Изменение частоты кварцевого генератора (в Гц) от изменений его массы в рабочем интервале обычно описывают формулой

\Delta f = - 2,3*10^6 f^ 2 \Delta m/S

где f - исходная частота колебаний (МГц); \Delta m - прирост массы (г); S - площадь электрода пьезокристалла (см2).

Как изменится частота колебаний кварцевого пьезоэлемента при увеличении его массы на 1 мкг, если частота его свободных колебаний составляет 4,5 МГц, а площадь электрода 1,6 см2?

(Отметьте один правильный вариант ответа.)

Варианты ответа
уменьшится на \approx  29 Гц (Верный ответ)
увеличится на \approx  29 Гц
увеличится на \approx  58 Гц
уменьшится на \approx  145 Гц
Похожие вопросы

Изменение частоты кварцевого генератора (в Гц) от изменений его массы в рабочем интервале обычно описывают формулой

\Delta f = - 2,3*10^6 f^ 2 \Delta m/S

где f - исходная частота колебаний (МГц); \Delta m - прирост массы (г); S - площадь электрода пьезокристалла (см2).

Рассчитайте массу навески на кварцевых микровесах, если частота колебаний пьезоэлемента изменилась от 4,80 МГц до 4,72 МГц при площади электрода 0,3 см2.

.

Изменение частоты кварцевого генератора (в Гц) от изменений его массы в рабочем интервале обычно описывают формулой

\Delta f = - 2,3*10^6 f^ 2 \Delta m/S

где f - исходная частота колебаний (МГц); \Delta m - прирост массы (г); S - площадь электрода пьезокристалла (см2).

Рассчитайте теоретическую чувствительность микровесов, если площадь электрода пьезоэлемента 5 х 5 мм2, и можно надежно фиксировать изменение частоты на 10 Гц от исходной 4,5 МГц.

В этой задаче использованы следующие обозначения: s - размер излучающей области источника света; f - фокусное расстояние коллимационной линзы; \lambda и \Delta \lambda - длина волны и полуширина спектральной полосы излучения; S_Ф- размер отдельного фотодетектора в плоскости отражения; L - путь, который проходит свет от вершины расходящегося пучка света до линейки фотодетекторов. Сделайте расчеты, касающиеся физической разрешающей способности ППР сенсоров.

Рассчитайте физическую угловую разрешающую способность в оптической схеме ППР сенсора с параллельным пучком света, в котором используется светодиод с s = 0,3 мм, излучающий свет с длиной волны 750 нм и \Delta \lambda = 16 нм, при f = 36 мм, а ППР наблюдается под углом 64°

В этой задаче использованы следующие обозначения: s - размер излучающей области источника света; f - фокусное расстояние коллимационной линзы; \lambda и \Delta \lambda - длина волны и полуширина спектральной полосы излучения; S_Ф- размер отдельного фотодетектора в плоскости отражения; L - путь, который проходит свет от вершины расходящегося пучка света до линейки фотодетекторов. Сделайте расчеты, касающиеся физической разрешающей способности ППР сенсоров.

Рассчитайте физическую угловую разрешающую способность в оптической схеме ППР сенсора с раcходящимся пучком света, в котором используется светодиод с \lambda =  750 нм и \Delta  \lambda = 16 нм, L = 60 мм, S_Ф= 30 мкм, а ППР наблюдается под углом 64°

.

В этой задаче использованы следующие обозначения: s - размер излучающей области источника света; f - фокусное расстояние коллимационной линзы; \lambda и \Delta \lambda - длина волны и полуширина спектральной полосы излучения; S_Ф- размер отдельного фотодетектора в плоскости отражения; L - путь, который проходит свет от вершины расходящегося пучка света до линейки фотодетекторов. Сделайте расчеты, касающиеся физической разрешающей способности ППР сенсоров.

Рассчитайте физическую угловую разрешающую способность в оптической схеме ППР сенсора с раcходящимся пучком света, в котором используется полупроводниковый лазер с \lambda = 780 нм и \Delta \lambda = 1 нм; L = 70 мм, S_Ф= 15 мкм, а ППР наблюдается под углом 62°.

Обозначения: R - сопротивление проводника при абсолютной температуре Т; R_0 - сопротивление того же проводника при абсолютной температуре Т_0 ; \alpha - температурный коэффициент сопротивления. Рассчитайте:

Относительное изменение сопротивления терморезистора из вольфрама (\alpha =  0,0051 К^{-1}) при возрастании температуры от Т_0 = 273 К до Т =1400 К.

Обозначения: R - сопротивление проводника при абсолютной температуре Т; R_0 - сопротивление того же проводника при абсолютной температуре Т_0 ; \alpha - температурный коэффициент сопротивления. Рассчитайте:

Относительное изменение сопротивления терморезистора из меди (\alpha = 0,0043 К^{-1}) при возрастании температуры от Т_0 = 273 К до Т =340 К.

Обозначения: R - сопротивление проводника при абсолютной температуре Т; R_0 - сопротивление того же проводника при абсолютной температуре Т_0 ; \alpha - температурный коэффициент сопротивления. Рассчитайте:

Относительное изменение сопротивления платинового терморезистора (\alpha = 0,00392 К^{-1}) при возрастании температуры от Т_0 = 273 К до Т =750 К.

Интенсивность красного света, прошедшего сквозь зеленый лист растения,

I_П^{(K)}=I_0^{(K)} (1-R) | \alpha \exp (-k_{ПХ} C_П - K_{РПФ}^{(K)} d) + (1- \akpha) \exp (-K_{РФП}^{(K)} d)

а интенсивность прошедшего инфракрасного света (в опорном канале)

I_П^{(ИК)}=I_0^{(ИК)} (1-R) \exp (-K_{РПФ}^{(ИК)} d)

Здесь К_{РФП}^{(К)} и К_{РФП}^{(ИК)} - фоновые коэффициенты ослабления света в красном и в инфракрасном интервалах спектра; I_0^{(К)} и I_0^{(ИК)} - интенсивности первичного пучка в этих интервалах; R - коэффициент отражения света от поверхности листка; \alpha - доля поверхности листка, перекрываемая хлоропластами; k_{ПХ} - удельный коэффициент поглощения света хлорофиллом; с_П - поверхностная концентрация хлорофилла; d - толщина листка. Принимая, что К_{РФП}^{(ИК)} \approx К_{РФП}^{(К)} , I_0^{(ИК)}  = I_0^{(К)} и k_{ПХ}= 0,75 см^2/мг:

Вычислите отношение спектральных интенсивностей красного и инфракрасного света, прошедших сквозь лист растения, если концентрация хлорофилла в нём составляет 4 мг/см2 и \alpha = 0,9.

Интенсивность красного света, прошедшего сквозь зеленый лист растения,

I_П^{(K)}=I_0^{(K)} (1-R) | \alpha \exp (-k_{ПХ} C_П - K_{РПФ}^{(K)} d) + (1- \akpha) \exp (-K_{РФП}^{(K)} d)

а интенсивность прошедшего инфракрасного света (в опорном канале)

I_П^{(ИК)}=I_0^{(ИК)} (1-R) \exp (-K_{РПФ}^{(ИК)} d)

Здесь К_{РФП}^{(К)} и К_{РФП}^{(ИК)} - фоновые коэффициенты ослабления света в красном и в инфракрасном интервалах спектра; I_0^{(К)} и I_0^{(ИК)} - интенсивности первичного пучка в этих интервалах; R - коэффициент отражения света от поверхности листка; \alpha - доля поверхности листка, перекрываемая хлоропластами; k_{ПХ} - удельный коэффициент поглощения света хлорофиллом; с_П - поверхностная концентрация хлорофилла; d - толщина листка. Принимая, что К_{РФП}^{(ИК)} \approx К_{РФП}^{(К)} , I_0^{(ИК)}  = I_0^{(К)} и k_{ПХ}= 0,75 см^2/мг:

Вычислите концентрацию хлорофилла в листке растения, если соотношение спектральных интенсивностей красного и инфракрасного света, прошедших сквозь лист растения, составляет 1:9 и \alpha= 0,9.