Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника: с шириной запрещенной зоны 4,83 эВ?

(Ответ необходимо ввести в поле ввода.)

Варианты ответа

Похожие вопросы

Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника: GaP

с шириной запрещенной зоны 2,26 эВ?

Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника: $GaAs_{0,6}P_{0,4}$ с шириной запрещенной зоны 1,91 эВ?

Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника: $GaAs_{0,35}P_{0,65}$ с шириной запрещенной зоны 2,08 эВ?

Свет какой длины волны (нм) излучает светодиод, в гетероструктуре которого относительно узкозонная область выполнена из полупроводника: $GaAs_{0,15}P_{0,85}$ с шириной запрещенной зоны 2,16 эВ?

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий $\Delta E$ в смешанных кристаллах $Ga_{1-х}Al_хAs$ от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: $Ga_{0,95}Al_{0,05}As$ . Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий $\Delta E$ в смешанных кристаллах $Ga_{1-х}Al_хAs$ от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: $Ga_{0,8}Al_{0,2}As$ . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий $\Delta E$ в смешанных кристаллах $Ga_{1-х}Al_хAs$ от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: $Ga_{0,88}Al_{0,12}As$ . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий $\Delta E$ в смешанных кристаллах $Ga_{1-х}Al_хAs$ от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: $Ga_{0,73}Al_{0,27}As$ . Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий $\Delta E$ в смешанных кристаллах $Ga_{1-х}Al_хAs$ от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: $Ga_{0,65}Al_{0,35}As$ . Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

Оцените (в нм), с какой точностью контролируется фактическое положение координатного стола в электронолитографическом комплексе с помощью лазерного диода и интерферометра, если лазерный диод излучает свет на частоте 5,531*10¹⁴ Гц, а интерферометр позволяет фиксировать перемещение на расстояние $\lambda/16$