Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий $\Delta E$ в смешанных кристаллах $Ga_{1-х}Al_хAs$ от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: $Ga_{0,95}Al_{0,05}As$ . Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

(Ответ необходимо ввести в поле ввода.)

Варианты ответа

Похожие вопросы

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий $\Delta E$ в смешанных кристаллах $Ga_{1-х}Al_хAs$ от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: $Ga_{0,73}Al_{0,27}As$ . Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий $\Delta E$ в смешанных кристаллах $Ga_{1-х}Al_хAs$ от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: $Ga_{0,65}Al_{0,35}As$ . Ответ введите с точностью до третьего знака после запятой.

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий $\Delta E$ в смешанных кристаллах $Ga_{1-х}Al_хAs$ от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: $Ga_{0,88}Al_{0,12}As$ . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Считая линейной зависимость ширины запрещенной зоны энергий $\Delta E$ в смешанных кристаллах $Ga_{1-х}Al_хAs$ от молярной доли х алюминия, рассчитайте ширину (эВ) запрещенной зоны кристаллов: $Ga_{0,8}Al_{0,2}As$ . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами ( $C_{\textit{З}1}$ , $C_{\textit{З}2}$ , $C_{\textit{ИО}}$ и $C_{\textit{ОС}}$ ) и заданных напряжениях на затворах ( $U_{\textit{З}1},U_{\textit{З}2}$ ) и между истоком и стоком (

). $C_{\textit{З}1} = 5*10{-19}\Phi; C_{\textit{З}2} = 6*10{-19}\Phi; C_{\textit{ИО}} = 10{-18}\Phi; C_{\textit{ОС}} = 8*10{-19}\Phi; U = 50 \text{}; U_{\textit{З}1} = 0; U_{\textit{З}2} = 100 \text{}$ . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

). $C_{\textit{З}1} = C_{\textit{З}2} = 1,2*10{-18}\Phi; C_{\textit{ИО}} = C_{\textit{ОС}} = 10{-18}\Phi; U = 40 \text{}; U_{\textit{З}1} = 100 \text{}; U_{\textit{З}2} = 0$ . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

). $C_{\textit{З}1} = 6*10{-19}\Phi; C_{\textit{З}2} = 8*10{-19}\Phi; C_{\textit{ИО}} = 10{-18}\Phi; C_{\textit{ОС}} = 1,2*10{-18}\Phi; U = 40 \text{}; U_{\textit{З}1} = U_{\textit{З}2} = 50 \text{}$ . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

). $C_{\textit{З}1} = 2*10{-19}\Phi; C_{\textit{З}2} = 3*10{-19}\Phi; C_{\textit{ИО}} = C_{\textit{ОС}} = 5*10{-19}\Phi; U = 60 \text{}; U_{\textit{З}1} = U_{\textit{З}2} = 100 \text{}$ . Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( $\varepsilon_{\text{И}}$ и $d_{\text{И}}$ ), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( $d_{\text{М}}$ и $\rho$ ) и длины межсоединения (

). $\varepsilon_{\text{И}}$ = 25; $d_{\text{И}}$ = 40 нм; $d_{\text{М}}$ = 80 нм; $\rho$ = 1,68 мкОм*см;

= 100 мкм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

). $\varepsilon_{\text{И}}$ = 3,1; $d_{\text{И}}$ = 90 нм; $d_{\text{М}}$ = 100 нм; $\rho$ = 1,68 мкОм*см;

= 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.