База ответов ИНТУИТ

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

<<- Назад к вопросам

Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 200 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной \varepsilon_{\text{Im}} = 1,3, диэлектрическая постоянная среды \varepsilon_{CP} = 2,5. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

(Ответ необходимо ввести в поле ввода.)
Варианты ответа
Похожие вопросы
Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 70 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной \varepsilon_{\text{Im}} = 1,3, диэлектрическая постоянная среды \varepsilon_{CP} = 2,2. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 100 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной \varepsilon_{\text{Im}} = 1,3, диэлектрическая постоянная среды \varepsilon_{CP} = 3,2. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 100 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной \varepsilon_{\text{Im}} = 0,9, диэлектрическая постоянная среды \varepsilon_{CP} = 4,2. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Вычислите коэффициент усиления напряженности электрического поля света в окрестности наночастицы на расстоянии 1 нм от ее поверхности в условиях локализованного плазмонного резонанса, если радиус наночастицы 150 нм, мнимая часть ее диэлектрической постоянной \varepsilon_{\text{Im}} = 0,9, диэлектрическая постоянная среды \varepsilon_{CP} = 3,7. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 100 нм, длина волны \lambda = 600 нм, материал – золото (\varepsilon_{\text{Re}} = –12; \varepsilon_{\text{Im}} = 1,3)
Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 200 нм, длина волны \lambda = 600 нм, материал – алюминий (\varepsilon_{\text{Re}} = –51; \varepsilon_{\text{Im}} = 17)
Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 70 нм, длина волны \lambda = 500 нм, материал – серебро (\varepsilon_{\text{Re}} = –9,5; \varepsilon_{\text{Im}} = 0,75)
Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 150 нм, длина волны \lambda = 600 нм, материал – серебро (\varepsilon_{\text{Re}} = –15; \varepsilon_{\text{Im}} = 0,9)
Вычислите относительное эффективное сечение взаимодействия наночастицы с электромагнитной волной на резонансной частоте, если радиус наночастицы 100 нм, длина волны \lambda = 750 нм, материал – золото (\varepsilon_{\text{Re}} = –23; \varepsilon_{\text{Im}} = 1,3)
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,1; d_{\text{И}} = 90 нм; d_{\text{М}} = 100 нм; \rho = 1,68 мкОм*см; l = 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.