Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( и ), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( и ) и длины межсоединения (). = 3,1; = 90 нм; = 100 нм; = 1,68 мкОм*см; = 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
(Ответ необходимо ввести в поле ввода.)
Варианты ответа