База ответов ИНТУИТ

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

<<- Назад к вопросам

Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации 8*10^{-5}\;^{\circ}\!/\text{ч} от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межконтинентальной баллистической ракеты, которая летит со скоростью 6 км/с и преодолевает расстояние 6600 км. Рассчитайте также предельное отклонение ракеты от цели, связанное с возможным отклонением оси ориентации

(Отметьте один правильный вариант ответа.)
Варианты ответа
\approx 0,4''; \approx 1,4 м
\approx 0,1''; \approx 1,4 м(Верный ответ)
\approx 0,2''; \approx 1,4 м
Похожие вопросы
Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации 8*10^{-5}\;^{\circ}\!/\text{ч} от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту атомной подводной лодки после 15 месяцев автономного плавания
Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации 8*10^{-5}\;^{\circ}\!/\text{ч} от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межпланетного космического корабля, приближающегося к Юпитеру спустя 3,5 года после старта
Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации 8*10^{-5}\;^{\circ}\!/\text{ч} от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межпланетного космического корабля, приближающегося к Венере спустя 7,5 месяцев после старта
Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации 8*10^{-5}\;^{\circ}\!/\text{ч} от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межпланетного космического корабля, приближающегося к Марсу спустя 9 месяцев после старта
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 2 \text{ B}; N = 10^5; f = 10^9 \text{ Гц}; C = 1 \text{ пФ}; C = 0,5.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 5 \text{ B}; N = 10^4; f = 10^8 \text{ Гц}; C = 50 \text{ пФ}; C = 0,25.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 3 \text{ B}; N = 3*10^4; f = 10^8 \text{ Гц}; C = 20 \text{ пФ}; C = 0,35. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 1,5 \text{ B}; N = 2*10^5; f = 2*10^9 \text{ Гц}; C = 0,1 \text{ пФ}; C = 0,25. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 2,5 \text{ B}; N = 5*10^4; f = 10^8 \text{ Гц}; C = 5 \text{ пФ}; C = 0,45. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Во входном ферромагнитном наноэлементе (ФНЭ) логики на наномагнитах 2-го поколения "свободный" ферромагнитный слой имеет размеры a\times b\times h(нм). Принимая, что для его перемагничивания из одного направления в противоположное требуется магнитный момент 2\mu_Б на каждый атом этого элемента (\mu_Б– магнетон Бора), рассчитайте магнитный момент, который должен быть перенесен спин-поляризованным электрическим током записи. Плотность материала, из которого состоит "свободный" слой, составляет 9800 кг/м3, а средняя масса атомов 106 а.е.м.a= 220 нм, b= 250 нм, h=32 нм,рассчитайте величину магнитного спин-тока, необходимую для перемагничивания "свободного" ферромагнитного слоя за время \Delta t= 1,2 нс, а также соответствующую величину спин-поляризованного электрического тока, если степень его поляризации равна P= 40\%.