База ответов ИНТУИТ

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

<<- Назад к вопросам

Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации 8*10^{-5}\;^{\circ}\!/\text{ч} от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межпланетного космического корабля, приближающегося к Венере спустя 7,5 месяцев после старта

(Отметьте один правильный вариант ответа.)
Варианты ответа
0,434^{\circ}\approx 26,3?
0,435^{\circ}\approx 26,3?
0,437^{\circ}\approx 26,3?
0,438^{\circ}\approx 26,3?(Верный ответ)
0,436^{\circ}\approx 26,3?
Похожие вопросы
Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации 8*10^{-5}\;^{\circ}\!/\text{ч} от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межпланетного космического корабля, приближающегося к Марсу спустя 9 месяцев после старта
Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации 8*10^{-5}\;^{\circ}\!/\text{ч} от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межпланетного космического корабля, приближающегося к Юпитеру спустя 3,5 года после старта
Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации 8*10^{-5}\;^{\circ}\!/\text{ч} от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту атомной подводной лодки после 15 месяцев автономного плавания
Интеллектуальный наноэлектромеханический гироскоп-акселерометр обеспечивает временную стабильность положения оси ориентации 8*10^{-5}\;^{\circ}\!/\text{ч} от начального направления. Рассчитайте предельное отклонение его оси от начального направления при условиях: гироскоп находится на борту межконтинентальной баллистической ракеты, которая летит со скоростью 6 км/с и преодолевает расстояние 6600 км. Рассчитайте также предельное отклонение ракеты от цели, связанное с возможным отклонением оси ориентации
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,1; d_{\text{И}} = 90 нм; d_{\text{М}} = 100 нм; \rho = 1,68 мкОм*см; l = 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,9; d_{\text{И}} = 100 нм; d_{\text{М}} = 120 нм; \rho = 2,66 мкОм*см; l = 4 мм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 25; d_{\text{И}} = 40 нм; d_{\text{М}} = 80 нм; \rho = 1,68 мкОм*см; l = 100 мкм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 2,5 \text{ B}; N = 5*10^4; f = 10^8 \text{ Гц}; C = 5 \text{ пФ}; C = 0,45. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 1,5 \text{ B}; N = 2*10^5; f = 2*10^9 \text{ Гц}; C = 0,1 \text{ пФ}; C = 0,25. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 3 \text{ B}; N = 3*10^4; f = 10^8 \text{ Гц}; C = 20 \text{ пФ}; C = 0,35. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.