База ответов ИНТУИТ

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

<<- Назад к вопросам

Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,9; d_{\text{И}} = 80 нм; d_{\text{М}} = 80 нм; \rho = 2,66 мкОм*см; l = 1 мм.

(Ответ необходимо ввести в поле ввода.)
Варианты ответа
Похожие вопросы
Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,9; d_{\text{И}} = 100 нм; d_{\text{М}} = 120 нм; \rho = 2,66 мкОм*см; l = 4 мм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,1; d_{\text{И}} = 90 нм; d_{\text{М}} = 100 нм; \rho = 1,68 мкОм*см; l = 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 25; d_{\text{И}} = 40 нм; d_{\text{М}} = 80 нм; \rho = 1,68 мкОм*см; l = 100 мкм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,1; d_{\text{И}} = 70 нм; d_{\text{М}} = 100 нм; \rho = 2,66 мкОм*см; l = 2 мм.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 2 \text{ B}; N = 10^5; f = 10^9 \text{ Гц}; C = 1 \text{ пФ}; C = 0,5.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 5 \text{ B}; N = 10^4; f = 10^8 \text{ Гц}; C = 50 \text{ пФ}; C = 0,25.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 2,5 \text{ B}; N = 5*10^4; f = 10^8 \text{ Гц}; C = 5 \text{ пФ}; C = 0,45. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 3 \text{ B}; N = 3*10^4; f = 10^8 \text{ Гц}; C = 20 \text{ пФ}; C = 0,35. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 1,5 \text{ B}; N = 2*10^5; f = 2*10^9 \text{ Гц}; C = 0,1 \text{ пФ}; C = 0,25. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}1}, C_{\textit{З}2}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) и заданных напряжениях на затворах (U_{\textit{З}1},U_{\textit{З}2}) и между истоком и стоком (U). C_{\textit{З}1} = 4*10{-19}\Phi; C_{\textit{З}2} = 5*10{-19}\Phi; C_{\textit{ИО}} = 8*10{-19}\Phi; C_{\textit{ОС}} = 6*10{-19}\Phi; U = 40 \text{}; U_{\textit{З}1} = U_{\textit{З}2} = 50 \text{}.