Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

<<- Назад к вопросам

Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек , длина каждого бита на дорожке и расстояние между дорожками . = 200 нм, = 200 нм, = 500 нм.

(Отметьте один правильный вариант ответа.)

Варианты ответа

7,25*10⁸ бит/см²

7,14*10⁸ бит/см²(Верный ответ)

7,18*10⁸ бит/см²

Похожие вопросы

Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек

, длина каждого бита на дорожке

и расстояние между дорожками

= 141 нм,

= 150 нм,

= 350 нм.

Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек

, длина каждого бита на дорожке

и расстояние между дорожками

= 45 нм,

= 54 нм,

= 127 нм.

Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек

, длина каждого бита на дорожке

и расстояние между дорожками

= 90 нм,

= 100 нм,

= 254 нм.

Рассчитайте плотность записи информации на магнитный диск, если известны ширина магнитных дорожек

, длина каждого бита на дорожке

и расстояние между дорожками

= 64 нм,

= 75 нм,

= 175 нм.

Рассчитайте расстояние между магнитными дорожками (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке

= 450 нм, ширина магнитных дорожек

= 780 нм и плотность записи информации на магнитный диск $\rho$ = 1,2*10⁹ бит/дюйм².

Рассчитайте ширину магнитных дорожек (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке

= 254 нм, расстояние между магнитными дорожками = 180 нм и плотность записи информации на магнитный диск $\rho$ = 4,6*10⁹ бит/дюйм².

Рассчитайте период расположения магнитных дорожек (в нм), если известны длина каждого бита на дорожке

= 390 нм и плотность записи информации на магнитный диск $\rho$ = 2,3*10⁹ бит/дюйм².

Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( $\varepsilon_{\text{И}}$ и $d_{\text{И}}$ ), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( $d_{\text{М}}$ и $\rho$ ) и длины межсоединения (

). $\varepsilon_{\text{И}}$ = 25; $d_{\text{И}}$ = 40 нм; $d_{\text{М}}$ = 80 нм; $\rho$ = 1,68 мкОм*см;

= 100 мкм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( $\varepsilon_{\text{И}}$ и $d_{\text{И}}$ ), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( $d_{\text{М}}$ и $\rho$ ) и длины межсоединения (

). $\varepsilon_{\text{И}}$ = 3,9; $d_{\text{И}}$ = 100 нм; $d_{\text{М}}$ = 120 нм; $\rho$ = 2,66 мкОм*см;

= 4 мм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

). $\varepsilon_{\text{И}}$ = 3,1; $d_{\text{И}}$ = 90 нм; $d_{\text{М}}$ = 100 нм; $\rho$ = 1,68 мкОм*см;

= 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.