База ответов ИНТУИТ

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

<<- Назад к вопросам

Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол \alpha, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,54, а угол \alpha = 2,5^{\circ}. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

(Ответ необходимо ввести в поле ввода.)

Варианты ответа
Похожие вопросы
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол \alpha, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,5, а угол \alpha = 1^{\circ}. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол \alpha, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,56, а угол \alpha = 1,5^{\circ}. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол \alpha, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,64, а угол \alpha = 2^{\circ}. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол \alpha, если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,38, а угол \alpha = 40? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/^{\circ}C, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/^{\circ}C. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 200 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 ^{\circ}C до 100 ^{\circ}C. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой. . Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,9; d_{\text{И}} = 100 нм; d_{\text{М}} = 120 нм; \rho = 2,66 мкОм*см; l = 4 мм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,1; d_{\text{И}} = 90 нм; d_{\text{М}} = 100 нм; \rho = 1,68 мкОм*см; l = 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 25; d_{\text{И}} = 40 нм; d_{\text{М}} = 80 нм; \rho = 1,68 мкОм*см; l = 100 мкм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/^{\circ}C, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/^{\circ}C. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 125 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 ^{\circ}C до 100 ^{\circ}C. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.
Шаблон сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) изготовили на пластине из карбида кремния с ТКЛР 2,77*10-6/^{\circ}C, нанопечать производят на пластину кремния с ТКЛР 2,98*10-6/^{\circ}C. Вычислите максимальное смещение изображения (в мкм), если диаметр пластины кремния 175 мм, а во время нанопечати пластины нагревают от 20 ^{\circ}C до 140 ^{\circ}C. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.