Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол $\alpha$ , если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,38, а угол $\alpha$ = 40? Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

(Ответ необходимо ввести в поле ввода.)

Варианты ответа

Похожие вопросы

Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол $\alpha$ , если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,5, а угол $\alpha$ = 1 $^{\circ}$ . Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол $\alpha$ , если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,56, а угол $\alpha$ = 1,5 $^{\circ}$ . Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол $\alpha$ , если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,54, а угол $\alpha$ = 2,5 $^{\circ}$ . Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Рассчитайте ширину (в нм) террас на вицинальной плоскости монокристалла, образующей с главной кристаллографической плоскостью двугранный угол $\alpha$ , если толщина одного кристаллического слоя составляет 0,64, а угол $\alpha$ = 2 $^{\circ}$ . Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (мэВ) с эффективной массой 0,067 m_e

в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 10 нм. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Рассчитайте значение минимальной энергии электрона (эВ) с эффективной массой 0,067 m_e

в идеализированной квантовой плоскости, если ее ширина составляет 1,5 нм. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.

Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( $\varepsilon_{\text{И}}$ и $d_{\text{И}}$ ), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( $d_{\text{М}}$ и $\rho$ ) и длины межсоединения (

). $\varepsilon_{\text{И}}$ = 3,1; $d_{\text{И}}$ = 90 нм; $d_{\text{М}}$ = 100 нм; $\rho$ = 1,68 мкОм*см;

= 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

). $\varepsilon_{\text{И}}$ = 25; $d_{\text{И}}$ = 40 нм; $d_{\text{М}}$ = 80 нм; $\rho$ = 1,68 мкОм*см;

= 100 мкм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.

Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора ( $\varepsilon_{\text{И}}$ и $d_{\text{И}}$ ), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации ( $d_{\text{М}}$ и $\rho$ ) и длины межсоединения (

). $\varepsilon_{\text{И}}$ = 3,9; $d_{\text{И}}$ = 100 нм; $d_{\text{М}}$ = 120 нм; $\rho$ = 2,66 мкОм*см;

= 4 мм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.

С помощью зондового наноструктурирования задумали сформировать наноразмерное изображение эмблемы и названия фирмы. Для этого острием нанозонда СТМ надо переместить

атомов и молекул. Сколько часов работы СТМ требуется для этого, если на перемещение одного атома (молекулы) и на контроль правильности перемещения в среднем затрачивается

секунд?

= 10000;

= 5 c. Ответ введите с точностью до одного знака после запятой.