База ответов ИНТУИТ

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

<<- Назад к вопросам

Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах x_1=1,x_2=1,x_3=1, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение U= 50 мВ, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что (G_{1+}-G_{1-})= 56 мкСм, (G_{2+}-G_{2-})= 24 мкСм, (G_{3+}-G_{3-})= -62 мкСм? Указано значение уставки (G_{П+}-G_{П-})= 36 мкСм.

(Отметьте один правильный вариант ответа.)
Варианты ответа
"0"
"1"(Верный ответ)
Похожие вопросы
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах x_1=1,x_2=1,x_3=0, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение U= 50 мВ, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что (G_{1+}-G_{1-})= 56 мкСм, (G_{2+}-G_{2-})= 24 мкСм, (G_{3+}-G_{3-})= -62 мкСм? Указано значение уставки (G_{П+}-G_{П-})= -36 мкСм.
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах x_1=0,x_2=1,x_3=1, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение U= 50 мВ, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что (G_{1+}-G_{1-})= 56 мкСм, (G_{2+}-G_{2-})= 24 мкСм, (G_{3+}-G_{3-})= -62 мкСм? Указано значение уставки (G_{П+}-G_{П-})= 64 мкСм.
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах x_1=0,x_2=0,x_3=0, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение U= 50 мВ, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что (G_{1+}-G_{1-})= 56 мкСм, (G_{2+}-G_{2-})= 24 мкСм, (G_{3+}-G_{3-})= -62 мкСм? Указано значение уставки (G_{П+}-G_{П-})= 24 мкСм.
Каков сигнал на выходе магниторезистивного порогового вентиля при входах x_1=1,x_2=0,x_3=1, если пороговый ток СТП составляет 2,4 мкА, напряжение U= 50 мВ, а электропроводности магниторезистивных ячеек отрегулированы так, что (G_{1+}-G_{1-})= 56 мкСм, (G_{2+}-G_{2-})= 24 мкСм, (G_{3+}-G_{3-})= -62 мкСм? Указано значение уставки (G_{П+}-G_{П-})= 40 мкСм.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 25; d_{\text{И}} = 40 нм; d_{\text{М}} = 80 нм; \rho = 1,68 мкОм*см; l = 100 мкм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,1; d_{\text{И}} = 90 нм; d_{\text{М}} = 100 нм; \rho = 1,68 мкОм*см; l = 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,9; d_{\text{И}} = 100 нм; d_{\text{М}} = 120 нм; \rho = 2,66 мкОм*см; l = 4 мм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,9; d_{\text{И}} = 80 нм; d_{\text{М}} = 80 нм; \rho = 2,66 мкОм*см; l = 1 мм.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,1; d_{\text{И}} = 70 нм; d_{\text{М}} = 100 нм; \rho = 2,66 мкОм*см; l = 2 мм.
Рассчитайте электрический потенциал (в мВ) наноостровка одноэлектронного транзистора с двумя затворами при известных значениях электрических емкостей между наноостровком и электродами (C_{\textit{З}1}, C_{\textit{З}2}, C_{\textit{ИО}} и C_{\textit{ОС}}) и заданных напряжениях на затворах (U_{\textit{З}1},U_{\textit{З}2}) и между истоком и стоком (U). C_{\textit{З}1} = 4*10{-19}\Phi; C_{\textit{З}2} = 5*10{-19}\Phi; C_{\textit{ИО}} = 8*10{-19}\Phi; C_{\textit{ОС}} = 6*10{-19}\Phi; U = 40 \text{}; U_{\textit{З}1} = U_{\textit{З}2} = 50 \text{}.