База ответов ИНТУИТ

Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков

<<- Назад к вопросам

Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы A_{\text{III}}B_{\text{V}} при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. GaSb

(Отметьте один правильный вариант ответа.)
Варианты ответа
меньше 29 нм GaSb(Верный ответ)
меньше 19 нм GaSb
меньше 25 нм GaSb
Похожие вопросы
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы A_{\text{III}}B_{\text{V}} при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. InSb
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы A_{\text{III}}B_{\text{V}} при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. InAs
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы A_{\text{III}}B_{\text{V}} при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. GaAs
Оцените толщину тонкого слоя, при которой полупроводник группы A_{\text{III}}B_{\text{V}} при комнатных температурах становится квантовой плоскостью для электронов проводимости. AlSb
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 25; d_{\text{И}} = 40 нм; d_{\text{М}} = 80 нм; \rho = 1,68 мкОм*см; l = 100 мкм. Ответ введите с точностью до первого знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в нс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,9; d_{\text{И}} = 100 нм; d_{\text{М}} = 120 нм; \rho = 2,66 мкОм*см; l = 4 мм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,1; d_{\text{И}} = 90 нм; d_{\text{М}} = 100 нм; \rho = 1,68 мкОм*см; l = 200 мкм. Ответ введите с точностью до второго знака после запятой.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,9; d_{\text{И}} = 80 нм; d_{\text{М}} = 80 нм; \rho = 2,66 мкОм*см; l = 1 мм.
Рассчитайте время задержки (в пс) распространения сигнала в линии межсоединения сверхбольшой интегральной схемы (СБИС) при известных значениях диэлектрической постоянной и толщины слоя изолятора (\varepsilon_{\text{И}} и d_{\text{И}}), толщины и удельного электрического сопротивления слоя металлизации (d_{\text{М}} и \rho) и длины межсоединения (l). \varepsilon_{\text{И}} = 3,1; d_{\text{И}} = 70 нм; d_{\text{М}} = 100 нм; \rho = 2,66 мкОм*см; l = 2 мм.
Рассчитайте тепловую мощность (Вт), которая в среднем выделяется на 1 мм2 площади СБИС, при известных значениях напряжения питания U, среднего количества N транзисторов на этой площади, тактовой частоты f, суммарной электрической емкости C, на которую нагружен выход транзистора, и коэффициенте C: U = 5 \text{ B}; N = 10^4; f = 10^8 \text{ Гц}; C = 50 \text{ пФ}; C = 0,25.